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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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描述
存储容量：512Mb
存储器组织：32M x 16
存储器接口：并联
时钟频率：400 MHz
写周期时间 - 字，页：15ns
访问时间：400 ps
电压 - 供电：1.7V ~ 1.9V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：84-TFBGA
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