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IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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描述
存储容量：256Mb
存储器组织：16M x 16
存储器接口：并联
时钟频率：200 MHz
写周期时间 - 字，页：15ns
访问时间：700 ps
电压 - 供电：2.5V ~ 2.7V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：60-TFBGA
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